日本播放一区二区三区视频,高清无码专区在线视频,日本一道本一区二区不卡在线视频

热门搜索:磁控溅射   PVD镀膜   真空泵
产品对比
(
0
)
最多可同时对比5款产品
对比 ( 0 / 5 )
关闭
产品对比 ( 0 )
您还没有添加产品哦~
请先在网站后台添加数据记录。
关闭
清空
对比
这里是产品名称这里是产品名称这里是产品名称这里是产品名称

碳化硅晶体生长炉

主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定,运行平稳,且有多项安全防护设施,质量流量及温度控制精确,整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器(PCC)控制,并可实现过程全自动(CCD)控制、信息记录。
零售价
0.0
市场价
0.0
浏览量:
1000
产品编号
真空室结构:
生长室采用石英管结构,石英管上下密封法兰采用316L材料,表面进行特种工艺处理,采用进口氟橡胶圈密封
真空室尺寸:
石英腔体规格:内径400mm,高度1100mm
极限真空度:
≤6.6E-5pa(冷态、空炉)
沉积源:
极限真空度:≤6.6×10-5pa(冷态、空炉) 系统真空检漏漏率:石英腔体体检漏漏率均≤5.0×10-7 Pa.l/S 12小时保压真空指标:≤5Pa(冷态空炉) 石英腔体规格:内径400mm,高度1100mm 可生长的晶体直径:可生长6英寸 晶体生长控
样品尺寸,温度:
6英寸
占地面积(长x宽x高):
安装场地面积大于12㎡,场地高度不小于4.5m
电控描述:
采用计算机控制系统和触摸式屏幕显示。长晶工艺全过程直观显示,互动性强;带有自动晶体生长控制系统;单晶炉运行过程中电流,功率,温度、气体流量、水温等数据及其变化的过程以电子文档的形式记录在案,方便晶体生长结束后分析参数并完善工况,实现生产档案管理;
工艺:
特色参数 :
数量
-
+
库存:
1
产品描述
[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[产品参数, 参数]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]

产品概述:
主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定,运行平稳,且有多项安全防护设施,质量流量及温度控制精确,整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器(PCC)控制,并可实现过程全自动(CCD)控制、信息记录。

设备用途:
本设备要求采用感应加热方式,在惰性气体(氩气)环境下将石墨坩埚中的碳化硅粉末升华,沉积到碳化硅单晶仔晶上,即物理气相沉积法(PVT法)生长6″碳化硅单晶。
 

未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
上一个
下一个

相关下载

暂时没有内容信息显示
请先在网站后台添加数据记录。

友情链接:
    

请您留下宝贵意见和建议

留言应用名称:
客户留言
描述:
这是描述信息

扫一扫关注
微信公众平台

Copyright 2020 日本播放一区二区三区视频,高清无码专区在线视频,日本一道本一区二区不卡在线视频     网站建设: